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新型三维光电子芯片:开启AI硬件新时代,能效与带宽双突破!新型光电子芯片为AI助力

美国哥伦比亚大学和康奈尔大学等机构的科学家研制出的新型三维光电子芯片,阐述了该芯片在数据传输能效、带宽密度等方面的优势,以及其对下一代人工智能硬件研发的重要意义。

在科技不断进步的今天,来自美国哥伦比亚大学和康奈尔大学等顶尖科研机构的科学家们,凭借着卓越的智慧和不懈的努力,成功研制出了一款具有划时代意义的新型三维光电子芯片。他们将光子技术与先进的互补金属氧化物半导体电子技术进行了深度融合,为芯片领域带来了全新的变革。

这张图片展示的是新型三维光电子芯片(艺术图),其创意来源于物理学家组织网。

这款新型三维光电子芯片具有诸多令人瞩目的特性。它的面积仅为0.3平方毫米,在如此微小的空间内,却集成了80个高密度的光子发射器和接收器。如此强大的集成能力,使得该芯片能够提供800吉字节/秒的超高数据传输带宽。同时,它还拥有每传输1比特数据仅消耗120飞焦耳的卓越能效,实现了前所未有的数据传输能效及带宽密度,为研发下一代人工智能(AI)硬件奠定了坚实基础。相关研究论文已经发表于新一期《自然·光子学》杂志。

值得一提的是,新芯片的带宽密度达到了5.3太字节/秒/平方毫米,这一数据远超现有基准。而且,该芯片的设计架构与现有半导体产线高度兼容,这意味着它有望实现大规模生产,从而为更多的应用场景提供支持。

光作为一种通信媒介,一直以来都展现出了巨大的优势。它能够以最小的能量损失传输大量数据,这一特性不仅引发了基于光纤网络传输数据的互联网革命,也为计算能力的扩展带来了新的可能。如果计算机网络的各个节点之间能够实现更高效的数据通信,那么AI技术的发展面貌有望焕然一新。

而这款最新芯片集成了光子技术,拥有超节能、高带宽的数据通信链路。它有望消除空间上不同计算节点之间的带宽瓶颈,促进下一代AI计算硬件的研发,为实现更快、更高效的AI技术开辟了新途径。此前由于能耗和数据传输存在延迟现象而无法实现的分布式AI架构,也将因此得以实现。

本文介绍了美国科研团队研制的新型三维光电子芯片,该芯片在面积小的情况下实现了高数据传输带宽和卓越能效,带宽密度远超现有基准且与现有半导体产线兼容,有望大规模生产。其集成的光子技术能消除带宽瓶颈,为下一代AI计算硬件研发提供助力,推动分布式AI架构的实现。

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