华北电力科学研究院有限责任公司申请的一项关于 IGBT 缺陷定位的专利，介绍了专利内容及该企业的相关信息。
金融界在 2025 年 3 月 21 日发布消息，国家知识产权局所披露的信息表明，华北电力科学研究院有限责任公司提出了一项具有重要意义的专利申请。该专利名称为“基于关断过程栅极电流的 IGBT 缺陷定位方法及装置”，其公开号为 CN 119644080 A，申请日期定格在 2024 年 11 月。
从专利摘要中我们可以了解到，此项申请为 IGBT 缺陷定位带来了全新的方法及装置。具体而言，该方法包含多个关键步骤。首先是获取目标 IGBT 的芯片总数，同时分别获取在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流，以及在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流。接着，根据所获取的这些电流数据，确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量，还有在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量。最后，依据芯片总数、各个阶段的正常与实际栅极放电电荷量，完成目标 IGBT 的内部缺陷定位。这一创新方法的最大优势在于，它能够精准实现绝缘栅双极晶体管内部缺陷的定位，为后续对绝缘栅双极晶体管的维护工作提供了极大的便利。
天眼查的资料为我们进一步揭开了华北电力科学研究院有限责任公司的面纱。这家企业成立于 2000 年，总部设立在北京。它主要投身于研究和试验发展领域。企业的注册资本高达 19999.2 万人民币，实缴资本也达到了 12498 万人民币。通过天眼查大数据的深入分析，我们发现该公司有着丰富的商业活动。它共对外投资了 1 家企业，积极参与招投标项目多达 1466 次。在财产线索方面，拥有商标信息 1 条，专利信息更是多达 2524 条。此外，企业还拥有 70 个行政许可，这些都充分显示出该企业在行业内的活跃程度和综合实力。
本文介绍了华北电力科学研究院有限责任公司申请的“基于关断过程栅极电流的 IGBT 缺陷定位方法及装置”专利，阐述了该专利的定位方法和优势，同时介绍了该企业的基本情况、商业活动及财产线索等信息，展现了企业在科研和商业领域的积极作为。
